深圳市科盛先丰科技有限公司
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Kesheng Xianfeng Technology Co., Ltd
产品中心
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保护器件
过
压保护:电压超标时瞬间导通/钳位
过流保护:电流过大时断开电路
防静电(ESD)保护:静电来袭时瞬间泄放
极性反接保护:反向电流时自动阻断
二极管
整流
:
将交流电(AC
)转为直流电(DC)。
保护
:
防止电源反接损坏电路(如电池接反)。
信号处理
:
削波、钳位等。
MOSFET
电压控制:(栅极电压控制漏极电流)
单极型:(只用电子或空穴导电)
输入阻抗超高:(几乎不消耗控制端电流)
产品分类
【场效应MOS管】
N沟道场效应管
P沟道场效应管
N+N沟道场效应管
P+P沟道场效应管
N+P沟道场效应管
【保护器件】
瞬态抑制二极管
静电防护二极管
稳压二极管
【二极管】
肖特基二极管
普通整流二极管
快恢复二极管
超快恢复二极管
超高效整流二极管
开关二极管
小信号肖特基二极管
【整流桥】
普通整流桥
快恢复整流桥
【三极管】
通用三极管
数字三极管
功率三极管
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当前条件:
N+N沟道场效应管
已选择:
VGS=2.5V : 25
VGS=2.5V
:
200-230
38-50
12-15.5
160-180
6V 800
6V 8.7-10.6
11.0-13.0
9.5-12.0
15-20
27-35
50-65
68-100
70-96
88.0-120.0
100-140
32-45
70-100
18.9-24
9-13-14
15-18
35-55
28-38
25-30
18-22
7-8.5
23-28
18
30
17-18.2-22.2
25
5-7
60-80
45
28-42
36-42
38-45
18.4-24
29-38
46-62
46
35
66-75
13
37
164
60
36
170
11-15
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15
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22-30
20
9.0-13
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17
14
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26
12-14
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10V 7-8
10V 4.9-6.5
10V 8-11
6.3-8.5
7.3-8.5
7.5-9.0
6-7
16-20
8-13
2.0-3.0
18-24
9.5
10
4.2-5.0
2.8-4.5
4.8-6
1.8-2.3
2.5-3.6
3.0-4.0
80-90
50-60
30-38
12-15
6.5-8.5
30-45
18-30
14-20
10-13
6.5-9
20-30
11-14
8-10
8
4.8-6.5
2.6-3.2
6
6.2-9
18.5-23
N沟道
P沟道
N+P沟道
双N沟道
双P沟到
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KS009BBNE3
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DFN3*3-8L
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